1、2024年的光刻承诺

  2024年伊始，光刻机的再次成为热度王，光刻机厂商和买家动作频频，大有新的一年，新的战斗的势头，2024这盘局，怕是再有苗头。

01.先进的光刻机

  ASML 韩国公司总裁 Lee Woo-kyung 在参加 1 月最后一天在首尔江南区首尔帕纳斯大洲际酒店举行的 SEMICON 韩国 2024 行业领导晚宴之前透露，“我们期待 2027 年带来三星电子和 ASML 的合资企业新研发中心的高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 设备。”

  这个新的半导体研究中心是韩国总统尹锡烈去年对荷兰进行国事访问期间组建的半导体联盟的成果，三星电子和荷兰设备公司ASML共同投资1万亿韩元在韩国建立该中心。该设施将成为 ASML 和三星电子工程师使用 EUV 设备进行先进半导体研发合作的场所。该中心建于京畿道华城市ASML新园区前，将配备能够实施亚2纳米工艺的先进高数值孔径EUV光刻设备。

   在回答有关与三星电子合作建设的研发中心建设进度的问题时，Lee Woo-kyung表示：“我们在ASML韩国华城新园区附近新获得了一块场地，将于明年开始建设。我们计划在竣工时引进[高数值孔径]设备，我们预计最晚会在 2027 年完成。” 这是ASML韩国首次透露即将建设的研发中心的位置以及引进High NA EUV设备的计划。

02.光刻机低端战

  1月30日日本佳能公司表示，市场对其新型光刻机的早期兴趣超出预期，该公司正大力缩小与荷兰ASML公司的差距。

  据英国金融时报报道，负责监督新型光刻机开发的佳能高管武石洋明 1 月 27 日接受采访称，采用纳米压印技术的佳能光刻设备 FPA-1200NZ2C 目标今年或明年出货。

  佳能 2023 年 10 月公布 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻（NIL）半导体设备。佳能社长御手洗富士夫表示，纳米压印光刻技术的问世，为小型半导体制造商生产先进芯片开辟了一条新的途径。佳能半导体设备业务经理岩本和德表示，纳米压印光刻是指将带有半导体电路图案的掩模压印在晶圆上，只需一个印记，就可以在适当的位置形成复杂的 2D 或 3D 电路图案，因此只需要不断改进掩模，甚至能生产 2nm 芯片。（来源：半导体产业纵横）点击查阅详情

2、打败苹果的不是华为，而是美国自己.美国的高大上形象不再

  近年来，苹果手机在中国市场的销售不佳，引发了人们的关注。这一现象的原因主要是由于其电池不耐用和信号不好等问题，这些问题已经存在很久。过去，由于美国科技与制度的优越性以及中国观众对美国产品的偏好，苹果手机一直备受欢迎。随着美国陷入各种争议和问题，中国观众对美国文化的认同度正在下降，这也导致了对苹果手机等美国商品的购买意愿减少。

  苹果手机在中国市场销售不佳的一个重要原因是其电池问题。很多消费者反映苹果手机电池不够耐用，使用时间较短。尤其是在日常使用中，即使是配置较高的苹果手机也很难满足人们对长时间使用的需求。与之相对的是，一些国内厂商的手机在电池续航方面做得比较好，给人们更好的使用体验。这使得消费者在购买手机时更加倾向于选择其他品牌，而不是苹果手机。

  苹果手机的信号问题也对其销售造成了影响。一些消费者反映，苹果手机在某些地方的信号较弱，导致通话质量不佳或者无法正常上网。这一问题也引发了一些消费者的不满和抱怨。与此一些国内品牌的手机在信号接收方面表现出色，更好地满足了人们对通信工具的需求。所以，这也成为了消费者选择其他手机品牌的一个重要因素。

  苹果手机过去在中国得到了广大消费者的喜爱，主要是由于中国观众对美国科技与制度的偏好。

  很多人认为美国的科技水平较高，所以对于美国品牌的产品持有一定的偏好。

   而苹果作为代表美国科技的品牌，一直以来都备受中国消费者的热爱。美国的制度优越性也影响了中国观众对美国产品的好感。很多人认为美国的制度更加健全和公正，所以选择美国品牌的产品成为了一种时尚和追求。（来源：小羊洋美食）点击查阅详情

3、小米摊牌了，将量产自研5nm芯片对标骁龙？高通：相信小米的实力

  小米突破5nm芯片制造领域的成功及其对中国芯片产业崛起的意义

  华为作为中国的科技巨头，在过去几年里一直强调自主研发，并在芯片制造领域取得了重大突破。近期由于美国的芯片制裁，华为在5nm芯片上面临巨大困难，导致华为手机供不应求。而就在这个时候，小米却默默地在5nm芯片领域站了出来。根据芯片行业内人士透露，小米已经开始规划量产自己的芯片，并且达到了骁龙8+的水平。小米的5nm芯片配置方案包括两种选择，其中GPU都是IMGCXT48-1536，整体采用N5工艺，差不多是骁龙8+的水平。

  小米之所以能够在5nm芯片领域取得突破，与其具备的技术实力密不可分。作为一家全球知名的智能手机制造商，小米拥有强大的研发团队与创新能力。小米在保密工作上也做得非常扎实，保证了芯片研发过程的隐秘性。小米的突破不仅是对华为的应对之策，更是对中国芯片产业发展的重要标志。

  小米突破5nm芯片制造领域不仅是公司发展的里程碑，也对中国芯片产业崛起具有重要意义。如果小米能够成功量产5nm芯片，将是中国在高端光刻机领域实现历史性突破。目前，光刻机是芯片制造过程中最关键的环节之一，而中国在这方面一直依赖进口设备。小米成功突破5nm芯片制造的也意味着中国在高端光刻机领域的自主创新，将有效打破西方国家对华为等中国科技企业的制裁。

  小米的芯片突破不仅仅是技术层面的胜利，更是对中国芯片产业生态链发展的推动。随着小米在芯片领域的崛起，其生态链中的供应商和合作伙伴也将迎来发展的机遇。小米的芯片研发水平也得到了国际企业的认可，包括像高通等一些知名芯片制造商，这将为中国芯片产业的发展带来更多机会与支持。

  小米突破5nm芯片制造领域的成功不仅代表着公司自身的发展进步，更意味着中国芯片产业的崛起。小米的成功突破将推动中国在高端光刻机领域实现自主创新，打破西方国家对中国科技企业的制裁。而小米在芯片研发领域的突破将进一步推动生态链的发展，并得到国际企业的认可和支持。小米的成功突破也预示着中国芯片的崛起指日可待。

4、基于量子纠缠光源的超宽带红外光谱，实现FTIR光谱仪的高灵敏度和小型化

   据麦姆斯咨询报道，中红外光谱区的光谱学研究最近取得了几项突破，有望应用于生物光子学和医学成像等领域。不过，中红外光谱仪器平台的开发仍然充满挑战。

   传统的红外光源和探测器很难在保持所需灵敏度的同时实现小型化，而傅里叶变换红外（FTIR）光谱仪被认为是一种有前景的方法。但是，FTIR光谱仪使用加热元件作为光源，由此产生的红外区域探测器噪声限制了该仪器的灵敏度，而物理特性则阻碍其向小型化发展。

   研究人员正在努力克服上述障碍，例如美国芝加哥大学的一个科研项目开发出能够在中红外范围内发射的胶体量子点光源，以及上海交通大学改进的超快锁模源，这两个项目都旨在解决“中红外瓶颈”。

   日本京都大学的一支研究团队近期展示了另一种可能的答案，即采用量子红外光谱法，利用量子纠缠态的可见光和红外光子对。这项突破性成果发表在Optica期刊上，研究人员利用通过啁啾产生的量子纠缠光，逐渐改变元件的极化反转周期，从而在较宽的带宽上生成量子光子对。

  该研究项目在其发表的论文中评论道：“传统的量子纠缠光源的带宽最多为1微米或更小，这阻碍了在光谱应用中非常重要的宽带测量。我们利用特殊设计的内部具有啁啾极化结构的非线性晶体，实现了可见（波长为595至725 nm）-红外（波长为2至5 µm）光子的超宽带纠缠态。我们研究结果表明，量子红外光谱可以实现超宽带光谱测量，并为使用量子纠缠光源的高灵敏度、小型化红外光谱仪铺平道路。”（来源：MEMS）点击查阅详情